正直 花奈子

Al、Ga、 InなどのIII族元素とV族元素であるNで構成されるIII-V族窒化物半導体の薄膜の結晶成長とその光デバイス応用に関する研究を行っています。
可視光から深紫外波長域の発光ダイオードやレーザダイオードなどの従来の発光デバイスの高効率化のための欠陥の少ない窒化物半導体薄膜の有機金属気相成長（MOVPE）法、スパッタ法、高温熱処理などを組み合わせた結晶成長とそれらの構造特性・光物性の評価を行っています。
また、ナノ・マイクロ構造を付加することで発現する・明らかにすることができる物性に興味があります。このようなこれまでは積極的に利用されてこなかった半導体の魅力的な物性を活かした光デバイスの提案とその原理実証を行いたいと考えています。その一つとしてIII-V窒化物半導体の量子ドット、フォトニック結晶、および、結晶極性反転構造を利用した量子光学デバイスである単一光子源や量子もつれ光子源の作製と実証を目的として研究に取り組んでいます。